IGBT vs GTO
GTO (Gate Turn-off Thyristor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal. Kedua-duanya digunakan untuk mengawal arus dan untuk tujuan menukar. Kedua-dua peranti mempunyai terminal pengendali yang disebut 'gate', tetapi mempunyai prinsip operasi yang berbeza.
GTO (Thyristor Matikan Pintu)
GTO terbuat dari empat lapisan semikonduktor jenis P dan jenis N, dan struktur peranti sedikit berbeza dibandingkan dengan thyristor normal. Dalam analisis, GTO juga dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan (satu PNP dan yang lain dalam konfigurasi NPN), sama seperti pada thyristor normal. Tiga terminal GTO dipanggil 'anode', 'katod' dan 'gerbang'.
Dalam operasi, thyristor bertindak melakukan apabila nadi disediakan ke pintu. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod blok balik', 'mod penyekat hadapan' dan 'mod konduktor maju'. Setelah gerbang dipicu dengan nadi, thyristor pergi ke 'mod pengalir ke hadapan' dan terus bergerak sehingga arus ke depan menjadi kurang dari ambang 'menahan arus'.
Sebagai tambahan kepada ciri-ciri thyristor normal, keadaan GTO 'off' juga dapat dikendalikan melalui denyutan negatif. Pada thyristor biasa, fungsi 'off' berlaku secara automatik.
GTO adalah peranti kuasa, dan kebanyakannya digunakan dalam aplikasi arus bolak-balik.
Transistor Bipolar Gate Bertebat (IGBT)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor yang dapat menangani jumlah kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua transistor persimpangan MOSFET dan bipolar (BJT). Ia didorong oleh pintu seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian arus tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada sejumlah peranti) mengendalikan kuasa kilowatt.
Apakah perbezaan antara IGBT dan GTO?
1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pemungut dan gerbang, sedangkan GTO mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan gerbang.
2. Gerbang GTO hanya memerlukan nadi untuk beralih, sedangkan IGBT memerlukan bekalan voltan gerbang yang berterusan.
3. IGBT adalah jenis transistor dan GTO adalah jenis thyristor, yang boleh dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan dengan erat dalam analisis.
4. IGBT hanya mempunyai satu persimpangan PN, dan GTO mempunyai tiga daripadanya
5. Kedua-dua peranti ini digunakan dalam aplikasi berkuasa tinggi.
6. GTO memerlukan peranti luaran untuk mengawal pematian dan denyutan, sedangkan IGBT tidak memerlukan.
