Perbezaan Antara IGBT Dan Thyristor

2024 Pengarang: Mildred Bawerman | [email protected]. Diubah suai terakhir: 2023-12-16 08:40

IGBT vs Thyristor

Thyristor dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis peranti semikonduktor dengan tiga terminal dan kedua-duanya digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai terminal pengendali yang disebut 'gate', tetapi mempunyai prinsip operasi yang berbeza.

Thyristor

Thyristor terbuat dari empat lapisan semikonduktor bergantian (dalam bentuk PNPN), oleh itu, terdiri daripada tiga persimpangan PN. Dalam analisis, ini dianggap sebagai pasangan transistor yang digabungkan rapat (satu PNP dan yang lain dalam konfigurasi NPN). Lapisan semikonduktor jenis P dan N terluar dipanggil anod dan katod masing-masing. Elektrod yang disambungkan ke lapisan semikonduktor jenis P dalaman dikenali sebagai 'pintu'.

Dalam operasi, thyristor bertindak melakukan apabila nadi disediakan ke pintu. Ia mempunyai tiga mod operasi yang dikenali sebagai 'mod blok balik', 'mod penyekat hadapan' dan 'mod konduktor maju'. Setelah gerbang dipicu dengan nadi, thyristor pergi ke 'mod pengalir ke hadapan' dan terus bergerak sehingga arus ke depan menjadi kurang dari ambang 'menahan arus'.

Thyristor adalah peranti kuasa dan kebanyakannya digunakan dalam aplikasi di mana arus dan voltan tinggi terlibat. Aplikasi thyristor yang paling banyak digunakan adalah mengawal arus bergantian.

Transistor Bipolar Gate Bertebat (IGBT)

IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan beralih yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.

IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua transistor persimpangan MOSFET dan bipolar (BJT). Ia didorong oleh pintu seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian arus tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada sejumlah peranti) mengendalikan kuasa kilowatt.

Secara ringkas:

Perbezaan Antara IGBT dan Thyristor

1. Tiga terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pengumpul dan gerbang, sedangkan thyristor mempunyai terminal yang dikenali sebagai anod, katod dan gerbang.

2. Gerbang thyristor hanya memerlukan nadi untuk berubah menjadi mod pengalir, sedangkan IGBT memerlukan bekalan voltan pintu yang berterusan.

3. IGBT adalah sejenis transistor, dan thyristor dianggap sebagai pasangan transistor yang erat dalam analisis.

4. IGBT hanya mempunyai satu persimpangan PN, dan thyristor mempunyai tiga daripadanya.

5. Kedua-dua peranti ini digunakan dalam aplikasi berkuasa tinggi.