IGBT vs MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor, dan kedua-duanya tergolong dalam kategori didorong gerbang. Kedua-dua peranti mempunyai struktur yang serupa dengan lapisan jenis semikonduktor yang berbeza.
Transistor Kesan Medan Semikonduktor Logam Oksida (MOSFET)
MOSFET adalah sejenis Field Effect Transistor (FET), yang terbuat dari tiga terminal yang dikenali sebagai 'Gate', 'Source' dan 'Drain'. Di sini, arus saliran dikawal oleh voltan pintu. Oleh itu, MOSFET adalah peranti yang dikawal voltan.
MOSFET tersedia dalam empat jenis yang berbeza, seperti saluran n atau saluran p, dengan mod penipisan atau peningkatan. Saliran dan sumber dibuat dari semikonduktor jenis n untuk saluran MOSFET, dan serupa untuk peranti saluran p. Gerbang terbuat dari logam, dan dipisahkan dari sumber dan longkang menggunakan logam oksida. Penebat ini menyebabkan penggunaan kuasa rendah, dan ini adalah kelebihan dalam MOSFET. Oleh itu, MOSFET digunakan dalam logik CMOS digital, di mana MOSFET p- dan n-channel digunakan sebagai blok bangunan untuk meminimumkan penggunaan tenaga.
Walaupun konsep MOSFET diusulkan sejak awal (pada tahun 1925), ia praktikal dilaksanakan pada tahun 1959 di makmal Bell.
Transistor Bipolar Gate Bertebat (IGBT)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah daya yang lebih tinggi, dan mempunyai kelajuan pensuisan yang lebih tinggi menjadikannya efisien tinggi. IGBT diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua transistor persimpangan MOSFET dan bipolar (BJT). Ia didorong oleh pintu seperti MOSFET, dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu, ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian arus tinggi, dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada sejumlah peranti) dapat menangani kuasa kilowatt.
Perbezaan antara IGBT dan MOSFET
1. Walaupun kedua-dua IGBT dan MOSFET adalah peranti terkawal voltan, IGBT mempunyai ciri konduksi seperti BJT.
2. Terminal IGBT dikenal sebagai pemancar, pemungut, dan gerbang, sedangkan MOSFET terbuat dari gerbang, sumber, dan longkang.
3. IGBT lebih baik dalam pengendalian kuasa daripada MOSFETS
4. IGBT mempunyai persimpangan PN, dan MOSFET tidak memilikinya.
5. IGBT mempunyai penurunan voltan hadapan yang lebih rendah berbanding dengan MOSFET
6. MOSFET mempunyai sejarah yang panjang berbanding dengan IGBT
