BJT vs IGBT
BJT (Bipolar Junction Transistor) dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) adalah dua jenis transistor yang digunakan untuk mengawal arus. Kedua-dua peranti mempunyai persimpangan PN dan struktur peranti berbeza. Walaupun kedua-duanya adalah transistor, mereka mempunyai perbezaan ciri yang ketara.
BJT (Transistor Persimpangan Bipolar)
BJT adalah jenis transistor yang terdiri daripada dua persimpangan PN (persimpangan yang dibuat dengan menghubungkan semikonduktor jenis ap dan semikonduktor jenis n). Kedua-dua persimpangan ini dibentuk menggunakan menghubungkan tiga kepingan semikonduktor mengikut urutan PNP atau NPN. Oleh itu, terdapat dua jenis BJT, yang dikenali sebagai PNP dan NPN.
Tiga elektrod disambungkan ke tiga bahagian semikonduktor ini dan plumbum tengah disebut 'base'. Dua persimpangan lain adalah 'emitter' dan 'collector'.
Di BJT, arus pemancar pemungut besar (I c) dikendalikan oleh arus pemancar asas kecil (I B), dan harta ini dieksploitasi untuk merancang penguat atau suis. Oleh itu, ia boleh dianggap sebagai peranti yang digerakkan semasa. BJT kebanyakannya digunakan dalam litar penguat.
IGBT (Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi)
IGBT adalah peranti semikonduktor dengan tiga terminal yang dikenali sebagai 'Emitter', 'Collector' dan 'Gate'. Ini adalah jenis transistor, yang dapat menangani jumlah kuasa yang lebih tinggi dan mempunyai kelajuan beralih yang lebih tinggi menjadikannya cekap tinggi. IGBT telah diperkenalkan ke pasaran pada tahun 1980-an.
IGBT mempunyai ciri gabungan kedua-dua transistor persimpangan MOSFET dan bipolar (BJT). Ia didorong oleh pintu seperti MOSFET dan mempunyai ciri voltan semasa seperti BJT. Oleh itu ia mempunyai kelebihan keupayaan pengendalian arus tinggi dan kemudahan kawalan. Modul IGBT (terdiri daripada sejumlah peranti) mengendalikan kuasa kilowatt.
Perbezaan antara BJT dan IGBT
1. BJT adalah peranti yang digerakkan semasa, sedangkan IGBT didorong oleh voltan pintu
2. Terminal IGBT dikenali sebagai pemancar, pemungut dan gerbang, sedangkan BJT terbuat dari pemancar, pemungut dan alas.
3. IGBT lebih baik dalam pengendalian kuasa daripada BJT
4. IGBT boleh dianggap sebagai gabungan BJT dan FET (Field Effect Transistor)
5. IGBT mempunyai struktur peranti yang kompleks berbanding dengan BJT
6. BJT mempunyai sejarah yang panjang berbanding IGBT
